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    深圳市港晟電子有限公司
    CONQUER ELECTRONICS SHENZHEN CO.,LTD
    服務熱線:0755-29362249 |       
    首頁 - 品牌電子元件 - 英諾賽科 (Innoscience)
    名    稱: 英諾賽科Innoscience公司 GaN氮化鎵
    所屬類別: 英諾賽科 (Innoscience)
    摘    要: 英諾賽科Innoscience, 第三代半導體, 8英寸硅基氮化鎵晶圓, 低壓高壓(30V-650V)氮化鎵功率器件

     

    公司簡介
    8 英寸硅基氮化鎵
    IDM
    專利數量 500+
    創立:2015 年 12 月
    員工:1000+ (R&D 250+)
    基地:珠海,蘇州,
    深圳
    產品: 30V-650V
    GaN FET
    珠海
    產能 : 4K 晶圓 / 月
    蘇州
    產能 : 65K 晶圓 / 月
    (2021)
    英諾賽科氮化鎵平臺
    市場體系
    銷售
    市場
    氮化鎵芯片產品
    FAE
    低壓
    (≤200伏 )
    高壓
    (650 伏 )
    氮化鎵
    IC
    射頻
    RF
    AE
    8 英寸硅基氮化鎵 IDM 制造
    器件設計
    外延生長
    制程工藝
    可靠性測試
    失效分析
    經驗豐富的研發與產業化團隊
    LG
    EPC
    TSMC
    MPS
    UMC
    SMIC
    TI
    SAMSUNG
    8 英寸的優勢
    6 英寸
    晶圓面積增加 84%
    8 英寸
    優勢
    增加有效面積,總體成本更低 更優質的上下游產業鏈配套
    更先進的工藝技術 更高的生產效率
    IDM 模式
    IDM
    模式
    商業模式優點
    IDM 模式
    ◆ 集芯片設計,外延生長,芯片制造,
    可靠性與失效分析等于一體的全產業
    鏈生產模式
    8 英寸硅基氮化鎵,產品成本
    與價格具有絕對競爭優勢
    完善的可靠性與失效分析平臺,實現更
    快的產品迭代升級
    充足的產能
    珠海 (4K/ 月 )
    蘇州 (65K/月 )-2021
    FAB
    FAB
    About
    this area
    130m
    UT
    H2 Dormitory
    Office
    橙框內部分
    已完工 .
    116m
    一期
    163m
    二期
    480m
    110m
    590m
    設備于20年9月搬入,通線調試中 ,預計21年6月量產
    珠海 8 英寸 CMOS 兼容的產線
    黃光區
    介質薄膜及退火區
    擴散和離子注入區
    蝕刻區
    測量區
    8 英寸 MOCVD GaN 外延
    可靠性和失效分析實驗室
    半自動晶圓級測試系統
    全自動晶圓級測試系統
    DC HTGB/HTRB
    帶監控 HTGB/HTRB
    TC
    HAST
    THB
    系統級驗證
    Reflow oven
    英諾賽科的優勢總結
    GaN 將可能取代 Si MOSFET: 市場前景巨大 !
    新的應用機會 (5G, IOT, AI, 大數據 , 智慧城市等 )
    新的要求 : 更高的頻率,更小的尺寸
    1
    硅基
    氮化鎵
    IDM
    2
    Know-
    How
    經驗豐富的產業化團隊
    外延
    可靠性
    4
    自有
    晶圓廠
    器件設計
    外延生長
    制造
    可靠性測試
    失效分析
    系統測試
    3
    成本優勢
    自有技術專利
    IMEC 授權
    8 英寸
    制造
    相比 6 英寸面積增大 84%
    技術迭代,單顆芯片 die size 減小
    世界上最大的 GaN-on-Si 產能計劃: ① 珠海 4K/月 ② 吳江 65K/ 月(建設中)
    氮化鎵為戰略新興產業帶來新的解決方案
    GaN 核心
    性能優勢
    高頻
    開關速度快
    低阻抗/面積
    高頻
    與硅器件
    性能對比
    GaN
    Si
    5 倍以上優勢
    GaN
    Si
    10 倍以上優勢
    GaN
    Si
    2 倍以上優勢
    GaN
    Si
    2-4 倍以上優勢
    典型
    應用
    快充
    激光雷達
    數據中心
    5G
    應用
    優勢
    可大幅度減小終端
    應用產品體積并大幅
    提高功率轉化效率
    開關速度
    可提高 10 倍
    功率密度提升 2 倍
    節能 50%
    較 LDMOS
    工作頻率提高 2 倍以上
    產品
    ◆ 產品電壓等級覆蓋 40-650V,廣泛應用于快充,激光雷達,DC-DC等領域,目前累計出貨量已超 六百萬顆
    WLCSP 2x2
    WLCSP 2x3
    WLCSP 3x5
    DFN
    Vds(V) P/N Configuration Rds(on)(mΩ)typ. Id(A)cont. Package
    100 INN100W08 Single 36 4 WLCSP 2x2
    INN100W12 Single 6 16 WLCSP 5x3
    INN100L12 Single 6 16 FCLGA
    INN100W14 Single 19 7 WLCSP 3x5
    650 INN650D01 Single 130 16.5 DFN 8x8
    INN650DA01 Single 130 16.5 DFN 5x6
    INN650D02 Single 200 11 DFN 8x8
    INN650D02A Single 200 11 DFN 8x8
    INN650DA02A Single 200 11 DFN 5x6
    INN650DA04 Single 400 5.5 DFN 5x6
    650V 氮化鎵 Roadmap
    Road Map
    Ron (mOhm)
    400
    300
    200
    130
    80
    量產
    開發中
    50
    25
    30W
    65W
    300W
    1kW
    3kW
    6.6kW
    100V 氮化鎵 Roadmap
    Ron (mOhm)
    量產
    開發中
    36
    Road Map
    19
    激光雷達
    7
    4
    2
    300W
    750W
    1kW
    廣泛的應用領域
    消費
    工業
    汽車
    快充
    無人機
    D 類功放
    5G
    AI
    數據中心
    光伏
    航天
    自動駕駛
    OBC
    方案和 Demo
    65W 超薄 PD Demo
    65W 超小 PD Demo
    100W 2C2A Demo
    65W A+2C Demo
    尺寸:
    26mm*27mm*44mm
    功率密度: 34W/in3
    尺寸:
    50mm*56mm*13mm
    功率密度: 29W/in3
    尺寸: 46mm*46mm*23mm
    功率密度: 21.8W/in3
    尺寸:
    56mm*71mm*22.5mm
    功率密度: 18W/in3
    Demo 板目錄:
    Demo編號 輸出功率/(接口) 拓撲
    DMB001 60W/(單C) QR flyback
    DMB002 65W/(單C 超薄) QR flyback
    DMB003 65W/(A+C) QR flyback + buck
    DMB004 100W/(單C) QR flyback
    DMB005 100W/(2A+2C) Boost PFC + QR flyback + buck
    DMB006 65W/(單C 超小) QR flyback
    DMB007 200W/(2A+3C) Boost PFC + LLC + buck
    DMB008 20W/(單C) QR flyback
    DMB009 30W/(單C) QR flyback
    DMB012 120W/(單C) Boost PFC + ACF
    DMB013 200W/(LED Driver) Boost PFC + LLC
    DMB014 150W/(LED Driver) Boost PFC + LLC
    DMB015 65W/(A+2C) QR flyback + buck
    關于港晟
    公司簡介
    企業使命
    發展歷程
    經營范圍
    公司資質
    品牌電子元件
    富鼎先進 (APEC)
    美浦森 (Maplesemi)
    節能元件 (PFC)
    力林 (PowerForest)
    兆龍 (CT Micro)
    電源方案
    環球半導體 5V 12V 24V
    英諾賽科 GaN方案
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